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      CSD88537ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88537ND

      數據：

      描述

      這款雙路小外形尺寸（SO）-8,60V，12.5mΩNexFET功率MOSFET用途低電流電機控制應用中的半橋。

      頂視圖

      要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄.R θJA = 60°C /W，這是在一個厚度0.06英寸環氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的銅焊盤上測得的典型值
      。最大R θJL = 20°C /W，脈沖持續時間≤100μs，占空比≤1％

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 雪崩額定值
      • 無鉛
      • 符合RoHS環保標準
      • 無鹵素

      應用范圍

      • 用于電機控制的半橋
      • 同步降壓轉換器

      參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET

      ?
      VDS (V)
      Logic Level
      RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      QG Typ (nC)
      Configuration
      Package (mm)
      Operating Temperature Range (C)
      QGS Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      CSD88537ND CSD88539ND
      60 ? ? 60 ? ?
      No ? ? No ? ?
      12.5 ? ? 23 ? ?
      15 ? ? 28 ? ?
      62 ? ? 46 ? ?
      16 ? ? 11.7 ? ?
      14 ? ? 14 ? ?
      Dual ? ? Dual ? ?
      SO-8 ? ? SO-8 ? ?
      -55 to 150 ? ? -55 to 150 ? ?
      4.6 ? ? 4.6 ? ?
      2.3 ? ? 2.3 ? ?
      20 ? ? 20 ? ?
      3 ? ? 3 ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD88537ND 相關庫存
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