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在半導體制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術節點之后的下一個芯片縮小。截至2019年，三星和臺積電已宣布計劃將3 nm 半導體節點投入商業生產。它基于GAAFET（全能柵極場效應晶體管）技術，這是一種多柵極MOSFET技術。

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