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如何設計一個TR模塊的基本芯片

2020-11-11 | pdf | 0.34 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

  有源相控陣天線設計的核心是T/R組件。T/R組件設計考慮的主要因素有:不同形式集成電路的個數(shù),功率輸出的高低,接收的噪聲系數(shù)大小,幅度和相位控制的精度。同時,輻射單元陣列形式的設計也至關重要。

  1、芯片設計

  理想情況下,所有模塊的電路需要集成到一個芯片上,在過去的幾十年,大家也都在為這個目標而努力。然而,由于系統(tǒng)對不同功能單元需求的差別,現(xiàn)有的工程技術在系統(tǒng)性能與實現(xiàn)難度上進行了折衷的考慮,因此普遍的做法是將電路按功能進行了分類,然后放置于不同的芯片上,再通過混合的微電路進行連接,如圖所示。

  一個T/R模塊的基本芯片設置包括了3個MMICs組件和1個數(shù)字大規(guī)模集成電路(VLSI),如圖所示。 · 高功率放大器(MMIC) · 低噪聲放大器加保護電路(MMIC) · 可調增益的放大器和可調移相器(MMIC) · 數(shù)字控制電路(VLSI)

  根據(jù)不同的應用需求,T/R模塊可能還需要其他一些電路,如預功放電路需要將輸入信號進行放大以滿足高峰值功率需求。大多數(shù)X波段及以上頻段T/R組件都采用基于GaAs工藝的MMICs技術。該技術有個缺點就是熱傳導系數(shù)極低,因此基于GaAs 的電路需要進行散熱設計。未來T/R組件的發(fā)展方向是基于GaN和SiGe的設計工藝。基于GaN的功率放大器可實現(xiàn)更高的峰值功率輸出,從而提升雷達的靈敏度或探測距離,輸出功率是基于GaAS工藝電路的5 倍以上。SiGe工藝雖然傳輸?shù)墓β什蝗鏕aAs,然而該材料成本較低,適用于未來低成本、低功率密度雷達系統(tǒng)的設計。

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