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This application note describes using the
IBM43RF0100EV19 evaluation board for the
IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe) heterojunction
bi-polar transistor (HBT) in the 1900 MHz
frequency band.
The IBM43RF0100 HBT is a discrete transistor suitable
for a wide rage of applications such as pagers,
mobile and portable phones, spread-spectrum transceivers,
and other RF devices. The high linearity
and low power consumption of the IBM43RF0100
make it ideal for wireless digital protocol applications
such as CDMA and TDMA.
This evaluation board implements a low noise amplifier
(LNA) designed for 1900 MHz operation.
The evaluation board is used to measure
IBM43RF0100 HBT characteristics such as noise,
power, distortion, and s-parameters under a variety
of operating conditions.
IBM43RF0100EV19 evaluation board for the
IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe) heterojunction
bi-polar transistor (HBT) in the 1900 MHz
frequency band.
The IBM43RF0100 HBT is a discrete transistor suitable
for a wide rage of applications such as pagers,
mobile and portable phones, spread-spectrum transceivers,
and other RF devices. The high linearity
and low power consumption of the IBM43RF0100
make it ideal for wireless digital protocol applications
such as CDMA and TDMA.
This evaluation board implements a low noise amplifier
(LNA) designed for 1900 MHz operation.
The evaluation board is used to measure
IBM43RF0100 HBT characteristics such as noise,
power, distortion, and s-parameters under a variety
of operating conditions.
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