1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 憑借我們的首款汽車(chē)級(jí) 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 繼續(xù)在碳化硅領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。該產(chǎn)品組合完全符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)，具有高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 R DS(ON)溫度穩(wěn)定性，可在最苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。這些器件針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如汽車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、固態(tài)斷路器、諧振拓?fù)涞取?/span>
Wolfspeed 的 1200 V 裸片 SiC MOSFET 基于最新的第三代技術(shù)，包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的部件。1200 V MOSFET 專為低 R DS(ON)而設(shè)計(jì)，易于并聯(lián)并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容。從硅基解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。
一系列頂部和背面金屬化選項(xiàng)和芯片布局為模塊設(shè)計(jì)者提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
特征
- 汽車(chē)級(jí)認(rèn)證
- 高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) 溫度穩(wěn)定性
- 抗閂鎖
- 驅(qū)動(dòng)器的高柵極電阻
好處
- 通過(guò)降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
- 降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
- 實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率操作
- 易于并聯(lián)并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容
應(yīng)用
- 汽車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
- 固態(tài)斷路器
- 諧振拓?fù)?/span>
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
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EPM3-1200-R015D
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