場(chǎng)效應(yīng)晶體管STW12N120K5

場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào)： STW12N120K5

品牌： ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

型號(hào) STW12N120K5
品牌 ST意法半導(dǎo)體
封裝 TO-247
類型 N溝道
漏源電壓(Vdss) 1.2KV
連續(xù)漏極電流(Id) 12A
導(dǎo)通電阻(RDS) 620mΩ
閾值電壓(Vgs) 4V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: Yes

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 690 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 44.2 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: MDmesh

系列: STW12N120K5

封裝: Tube

商標(biāo): STMicroelectronics

配置: Single

產(chǎn)品類型: MOSFET

包裝數(shù)量：600

子類別: MOSFETs

單位重量: 6 g

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優(yōu)起辰電子

場(chǎng)效應(yīng)晶體管STW12N120K5

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

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