MASW-011151
SPDT 反射式開關 DC - 67 GHz，超寬帶
MASW-011151 是一款反射式超寬帶單刀雙擲 (SPDT) 開關，在 55 GHz 時具有 1.7 dB 的插入損耗。功率處理能力為 26 dBm。直通路徑中的輸入和輸出回波損耗通常為 16 dB。邏輯電平與標準 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS 兼容。所需的偏置電源為 +3.3 V 和 -3.3 V。對于超寬帶應用，RF 傳輸線上的阻抗匹配可以進一步優化高頻插入損耗和回波損耗性能。
MASW-011151 專為測試和測量、航空航天和國防、蜂窩基礎設施（5G 毫米波）、軍用無線電、雷達、微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT) 等寬帶應用而設計。
MASW-011151 采用絕緣體上硅工藝制造。2.25 mm 層壓封裝無鉛且符合 RoHS
SPDT 反射式開關 DC - 67 GHz，超寬帶
MASW-011151 是一款反射式超寬帶單刀雙擲 (SPDT) 開關，在 55 GHz 時具有 1.7 dB 的插入損耗。功率處理能力為 26 dBm。直通路徑中的輸入和輸出回波損耗通常為 16 dB。邏輯電平與標準 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS 兼容。所需的偏置電源為 +3.3 V 和 -3.3 V。對于超寬帶應用，RF 傳輸線上的阻抗匹配可以進一步優化高頻插入損耗和回波損耗性能。
MASW-011151 專為測試和測量、航空航天和國防、蜂窩基礎設施（5G 毫米波）、軍用無線電、雷達、微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT) 等寬帶應用而設計。
MASW-011151 采用絕緣體上硅工藝制造。2.25 mm 層壓封裝無鉛且符合 RoHS
特征
- 超寬帶：9 kHz 至 67 GHz
- 輸入 P1dB：27.5 dBm
- 輸入 IP3：52 dBm
- 隔離度：45 dB @ 40 GHz
- 隔離度：36 dB @ 55 GHz
- 隔離度：33 dB @ 67 GHz
- 插入損耗：1.3 dB @ 40 GHz
- 插入損耗：1.7 dB @ 55 GHz
- 插入損耗：3.0 dB @ 67 GHz
- 每個射頻端口的回波損耗：16 dB
- 包括熱開關在內的功率處理能力：26 dBm
- 無低頻雜散
- 兼容 1.8、2.5 和 3.3V CMOS 邏輯
- 2.25 毫米、12 引腳層壓封裝
- 符合 RoHS*
MASW6030G MASW-007074-000100 MASW-008206-000DIE
MASW-007075-000100 MASW-004103-1365 MA4AGSW1
MASWSS0181 MASW-010646 MASWSS0157
MASW-008801 MASW-001150-1316 MASW-008853-000000
MASW20000 MASW-001100-1190 MASW-009588
MASWSS0121 MA4SW610B-1 MASW-003102-13590
MASW-008177-000000 MA4SW210 MASW6010G
