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多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter
多層膜的結構廣泛用于各個領域. 在單一材料薄膜無法滿足所需規格的精密系統中, 高質量多層膜的作用至關重要. 因此, 新材料的開發和薄膜的精確控制制程已成為當前多層薄膜研究的重要方向. 上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉機構, 搭配美國 KRI 離子源可實現精準的多層膜結構并可以一次批量生產, 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池, 科研等行業, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯東多層膜磁控濺鍍設備配置和優點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
磁控濺鍍源（最多6個源）, 靶材尺寸多種可選
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導電, 導電靶材
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
精準流量控制器（最多4條氣體管線）
基板可加熱到 600°C
基材到靶材的間距可調節
每個濺鍍源和基板均安裝遮板
載臺可公自轉或定在靶材位置自轉
磁控濺鍍設備基本參數
| 系統類型 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 | 緊湊型高真空 |
| 極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 全部 CF(烘烤) | 一些密封圈(烘烤) | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
| 電子槍 | 3-4, 2-3 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-3 英寸 |
| 電源 | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF |
| Load-lock | 標準(HV) | 標準(HV) | 標準(HV)/可選 | 標準(HV)/可選 |
| 基板 | 4-6 英寸 加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加熱至 800°C | 4-6 英寸 加熱至 800°C |
| 真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
| 監控 | 真空規和Baratron | 真空規和Baratron | 真空規和Baratron | 真空規和Baratron |
| 工藝控制 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 |
| 氣體 | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣 | 氬氣, 氮氣, 氧氣 |
| 射頻偏壓清潔 | 300W RF(清潔和蝕刻) | 300W RF(清潔和蝕刻) | 可選 | 可選 |
| 離子源 | 100 KRi 離子源 | 100 KRi 離子源 | 可選 | 可選 |
| 薄膜 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應用
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版用于觀察基材和濺鍍源
具有顯示功能的全量程真空計和用于壓力控制的 Baratron 真空計
腔體的極限真空度約 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合離子源, 熱蒸發源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監控的額外備用端口
應用領域
半導體類, 納米科技
產品質量控制和質量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學研究, 材料研究
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