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什么是漏極,場效應管的結構原理是什么?

2010年03月04日 15:35 www.solar-ruike.com.cn 作者:佚名 用戶評論(0
關鍵字:漏極(10668)

什么是漏極,場效應管的結構原理是什么?

漏極

  場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者
  在兩個高摻雜的P區中間,夾著一層低摻雜的N區(N區一般做得很薄),形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極,在兩個P區上也做上歐姆電極,并把這兩P區連起來,就構成了一個場效應管。
  N型導電溝道結型場效應管的電路符號。
  將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極,在N型硅片兩端各引出一個電極,分別稱為源極和漏極,很薄的N區稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管的結構原理:

在兩個高摻雜的P區中間,夾著一層低摻雜的N區(N區一般做得很薄),形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極,在兩個P區上也做上歐姆電極,并把這兩P區連起來,就構成了一個場效應管。如圖所示:

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image: bk071542m_2.gif image: bk071542m_3.gif

(a) (b)

N型導電溝道結型場效應管的電路符號。

將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極(g),在N型硅片兩端各引出一個電極,分別稱為源極(s)和漏極(d),很薄的N區稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

image: bk071542m_4.jpg

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image: bk071542m_6.gif

image: bk071542m_7.gif

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電壓放大倍數 image: bk071542m_9.gif

輸入電阻image: bk071542m_10.gif

輸出電阻

共漏極放大電路也具有電壓放大倍數小于1,但接近1;輸出電壓與輸入電壓同相;輸入電阻高,輸出電阻低的特點。

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