圖3

　　采用平箔時，并聯電路設計可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uH。最大電容為 0.05 pF。1-kΩ 電阻設置時間在 100 MHZ以下小于 1 ns。上升時間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對于中間值僅略有下降。沒有振鈴噪聲對于高速切換電路是十分重要的，例如信號轉換。
　　100 MHZ 頻率下，1-kΩ 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對比可用以下公式表示：
　　交流電阻/直流電阻 = 1.001

　　

2012-2-24 16:28:18 上傳

下載附件 (43.45 KB)

　　圖4： 大金屬箔電阻結構。

　　金屬箔技術全面組合了高度理想的、過去達不到的電阻特性，包括低溫度系數（0 °C 至 + 60 °C 為 0.05 ppm/°C），誤差達到 ± 0.005 % （采用密封時低至 ± 0.001 %），負載壽命穩(wěn)定性在 70 °C，額定加電2000小時的情況下達到 ± 0.005 % （50 ppm），電阻間一致性在 0 °C 至 + 60 °C 時為 0.1 ppm/°C，抗 ESD 高達 25 kV。
　　性能要求
　　當然并非每位設計師的電路都需要全部高性能參數。技術規(guī)格相當差的電阻同樣可以用于大量應用中，這方面的問題分為四類：
　　（1） 現有應用可以利用大金屬箔電阻的全部性能升級。
　　（2） 現有應用需要一個或多個，但并非全部“行業(yè)最佳”性能參數。
　　（3） 先進的電路只有利用精密電阻改進的技術規(guī)格才能開發(fā)。
　　（4） 有目的地提前計劃使用精密電阻滿足今后升級要求 （例如，利用電阻而不是有源器件保持電路精度，從而節(jié)省成本，否則僅僅為了略微提高性能則要顯著增加成本）。
　　例如，在第二 （2） 類情況下，一個參數必須根據所有參數的經濟性加以權衡。與采用全面優(yōu)異性能的電阻相比，這樣可以節(jié)省成本，因為不需要調整電路 （及組裝相關組件的成本）。主要通過電阻而不是有源器件提高精度也可以節(jié)省成本，因為有源器件略微提高一點性能所需的成本要比電阻高的多。另一個問題是：“利用高性能電阻提高設備性能是否可以提高市場的市場占有率？”
　　作者：Yuval Hernik
　　應用工程部總監(jiān)
　　Yuval Hernik 畢業(yè)于 Technion （以色列理工學院） 電子工程系。自2008年以來，一直擔任 Vishay Precision Group 大金屬箔電阻應用工程部總監(jiān)。